報告題目：SiC功率半導體器件的發展

　　報告專家：李彥君

　　時間：5月22日（周四）13:30

　　地點：工學院25-512

　　報告人簡介：

　　李彥君，男，2018年于北京交通大學獲電氣工程專業工學學士學位，2024年于浙江大學獲電氣工程專業工學博士學位，2024年通過“百人計劃”加入浙江大學杭州國際科創中心擔任研究員。主要研究方向為寬禁帶SiC和GaN電力電子器件的結構設計優化、微納制造和可靠性研究，作為主要成員參與了國家自然科學基金和作為負責人承擔了浙江省自然科學青年基金等多個科研項目。研究成果在IEEE Transactions on Electron Devices、IEEE Electron Device Letters、AIP Applied Physics Letters、International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs等國際頂級期刊與會議上發表多篇學術論文。